產(chǎn)品名稱：Standa光電功率計主要特點：大光圈：硅傳感器光圈Ø10mm三種型號：Si：350-1080nm，最高750mWSi-UV：210-1080nm，最高25mWGe：800-1650nm，最高500mW衰減器可選：OD0.3：50%透過率（只11PH100-SiUV）OD1：10%透過率OD2：1%透過率高精度：新款11PH100-Si-HA具有最低的校準(zhǔn)不確定度精確校準(zhǔn)：
產(chǎn)品名稱：Standa光電功率計
主要特點：
大光圈：硅傳感器光圈Ø10mm
三種型號：
Si：350-1080nm，最高750mW
Si-UV：210-1080nm，最高25mW
Ge：800-1650nm，最高500mW
衰減器可選：
OD0.3：50%透過率（只11PH100-SiUV）
OD1：10%透過率
OD2：1%透過率
高精度：新款11PH100-Si-HA具有最低的校準(zhǔn)不確定度
精確校準(zhǔn)：波長選擇1nm步長
智能接口：包含所有校準(zhǔn)數(shù)據(jù)
主要參數(shù)：
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型號 |
11PH100-Si-HA |
11PH100-SiUV |
11PH20-Ge |
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最大平均功率
(單獨 / 帶OD2) |
36mW/750mW |
4mW/30mW |
30mW/500mW |
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有效口徑 |
10mm Ø |
10mm Ø |
5mm Ø |
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測量能力 |
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光譜范圍 |
350–1080nm |
210–1080nm |
800–1650nm |
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帶OD0.3 |
--- |
210–1080nm |
--- |
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帶OD1 |
420–1080nm |
400–1080nm |
900–1650nm |
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帶OD2 |
630–1080nm |
--- |
950–1650nm |
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最大可測功率 a |
36mW@1064nm |
4mW@532nm |
30mW@1064nm |
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帶OD0.3 |
--- |
11mW@300nm |
--- |
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帶OD1 |
300mW@1064nm |
25mW@532nm |
300mW@1064nm |
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帶OD2 |
750mW@1064nm |
--- |
500mW@1064nm |
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噪聲等效功率 b |
10pW@980nm |
10pW@850nm |
60pW@1550nm |
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上升時間 |
0.2sec |
0.2sec |
0.2sec |
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峰值靈敏度 |
0.5A/W@980nm |
0.45A/W@850nm |
0.98A/W@1550nm |
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校準(zhǔn)不確定度 |
±6.0%(350-399nm) |
±8%(200-219nm) |
±3.5%(800-1650nm) |
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±2.0 % (400-449nm) |
±6.5%(220-399nm) |
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±1.5%(450-940nm) |
±2.5%(400-899nm) |
--- |
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±2.0%(941-980nm) |
±3.5% (900-999nm) |
--- |
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±5.0%(981-1049nm) |
±5%(1000-1049nm) |
--- |
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±7.0%(1050-1080nm) |
±7%(1050-1080nm) |
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校準(zhǔn)不確定度
(帶 OD衰減器) |
±4.0%(420-980nm) |
±6.5%(210-399nm) |
±5 % |
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±5.0%(981-1049nm) |
±5%(400-1049nm) |
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±7.0%(1050-1080nm) |
±7%(1050-1080nm) |
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損傷閾值 |
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最大平均功率密度 |
100W/cm2 |
100W/cm2 |
100W/cm2 |
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物理特性 |
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有效口徑 |
10mm Ø |
10mm Ø |
5mm Ø |
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尺寸 |
38.1O x 27.4D mm |
38.1O x 27.4D mm |
38.1O x 27.4D mm |
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重量 (探頭) |
130 g |
130 g |
130 g |
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